1樓：
1.襯底是指藍寶石晶棒或者是矽經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。
2.外延片是指經過mocvd加工的**。
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、sic、si）上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。
具體流程是襯底 - 結構設計 - 緩衝層生長 - n型gan層生長 - 多量子阱發光層生 - p型gan層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、x射線） - 外延片
晶片則是最後的工藝，在外延片上進一步加工的來的。
具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→sio2沉積→視窗圖形光刻→sio2腐蝕→去膠→n極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→p極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。
2樓：匿名使用者
樓上已經講的很清楚了
led外延片和led晶片的區別
3樓：窮神爺
外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜（包括n-gan,量子阱,n-gan等），這層薄膜就叫做外延。
而晶片指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶片的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。可以說外延是晶片的原材料，晶片就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶片還做鈍化膜，反射鏡等等）
外延片與晶片區別
4樓：
外延片與晶片區別為：性質不同、目的不同、用途不同。
一、性質不同
1、外延片：外延片指的是在一塊加熱至適當溫度的襯底基片上，所生長出來的特定單晶薄膜。
2、晶片：晶片是一種固態的半導體器件。整個晶片被環氧樹脂封裝起來。
二、目的不同
1、外延片：外延片的目的是在外延上加上電極，便於對產品進行封存和包裝。
2、晶片：晶片的目的是將電能轉化成光能，供照明使用。
三、用途不同
1、外延片：外延片是led晶片的中段製程和後段製程的必需品，沒有它就無法做出高亮度的半導體。
2、晶片：晶片是製作led燈具、led螢幕、led背光的主要物料。
5樓：匿名使用者
襯底長好後就是外延片，根據外延片工藝來切割成一個個晶片，外延片的面積除以單個晶片的面積，就可以估算大體單張外延片可以切割成多少個晶片，一個晶片就是一個pn結，採用工藝封裝後即為led
6樓：匿名使用者
外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，而晶片指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和
7樓：匿名使用者
在襯底（藍寶石、碳化矽、矽等）上採用mocvd方式生長出外延層（發光層）的圓片成為led外延片。
led晶片：將led外延片進行多道工序加工（刻蝕、電極生長、減薄、切割），形成一個個小的發光器件，就是led晶片。
8樓：匿名使用者
第一有的廠家外延片和晶片都做，有的廠家只做其中之一。
led外延片生長的基本原理是：在一塊加 led外延片熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
外延片做好後，中游晶片廠家就會拿來長電極，然後切割，測試下游封裝廠就拿晶片廠做的led晶片去做封裝。
led外延片和晶片一樣嗎
9樓：
外延片和晶片不一樣。
外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜（包括n-gan,量子阱,n-gan等），這層薄膜就叫做外延。
而晶片指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶片的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。可以說外延是晶片的原材料，晶片就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶片還做鈍化膜，反射鏡等等）。
10樓：匿名使用者
當然不一樣。外延片是基礎材料，晶片是電路。
11樓：匿名使用者
不一樣，我們所謂的晶片是外延片經過多道工序加工後的。
led晶片的工藝流程：
襯底基片→外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→sio2沉積→視窗圖形光刻→sio2腐蝕→去膠→n極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→p極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試。
12樓：聚興碳素
1.外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜（包括n-gan,量子阱,n-gan等），這層薄膜就叫做外延。
2.晶片指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶片的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。
可以說外延是晶片的原材料，晶片就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶片還做鈍化膜，反射鏡等等）
13樓：
外延片不是晶片，你智慧說它是半導體器件，晶片代表的功能是外延片比不了的，不是同一種產品，晶片分為驅動晶片，恆流晶片，高壓線性恆流晶片，電源管理晶片等等，外延片只有一種
14樓：匿名使用者
你感覺一樣嗎？ 呵呵
led外延片與晶片
15樓：匿名使用者
第一有的廠家外延片和晶片都做，有的廠家只做其中之一。
led外延片生長的基本原理是：在一塊加 led外延片熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
外延片做好後，中游晶片廠家就會拿來長電極，然後切割，測試下游封裝廠就拿晶片廠做的led晶片去做封裝。
16樓：春風化雨時
led外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
led外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的led外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。
晶片指內含積體電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子裝置的一部分。
晶片（chip）就是半導體元件產品的統稱。是積體電路（ic, integrated circuit）的載體，由晶圓分割而成。
矽片是一塊很小的矽，內含積體電路，它是計算機或者其他電子裝置的一部分。
17樓：匿名使用者
襯底長好後就是外延片，根據外延片工藝來切割成一個個晶片，外延片的面積除以單個晶片的面積，就可以估算大體單張外延片可以切割成多少個晶片，一個晶片就是一個pn結，採用工藝封裝後即為led
18樓：匿名使用者
外延片和晶片一般是一起做的，外延片是晶片的母體，體積較大，一般是圓形，12英寸，技術水平不同，大小也不同。外延品經過分割以後就可以做出晶片，晶片一般以mil為單位，方形的較多。
19樓：匿名使用者
國內目前做晶片的都是外延片.晶片是統稱(晶片),三安做的很不錯
半導體矽外延片與led外延片有什麼區別
20樓：匿名使用者
半導體矽外延片一般在矽襯底上外延生長矽薄膜，可以是p型或n型，屬於同質外延，襯底和外延層失配小，成本低，通常使用pecvd、lpcvd等外延技術，用於製造矽半導體器件；
主流的大功率led外延片最多使用的是藍寶石襯底（也可以用sic、gan或矽襯底），在上面外延生長iii-v族化合物半導體全結構，屬於異質外延。一般來說，從下至上包括緩衝層、n型gan層、gan或algan pn結（有的含量子阱）、p型視窗層。led外延片結構較複雜，技術難度大，成本高，使用的是mocvd或mbe外延技術。
歡迎追問。
21樓：風兒的旋律
應用不同而已，外延層的作用就是在上邊做器件的，相當於用的體材料。只不過後者是用於做led的，有特殊要求罷了，比如說要是直接帶隙
22樓：陳博士是個好人
一個體材料就是襯底是矽，上面各種外延半導體材料，比如ge、sige等等，主要用於製造半導體器件。
led外延片，顧名思義，就是用作led的外延片。一般體材料或者說襯底是藍寶石，外延材料是gan之類的iii-v發光材料。當然了，現在襯底也有用矽的，便宜嘛。
所以，總的來說，兩者的區別，就是在襯底上外延的材料不同唄。一個矽上半導體材料一個矽上led材料，如此而已。
LED外延片生長主要是用氮化鎵沉積在襯底上，除了氮化鎵沉積
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