1樓:
這個電阻影響g極電流,即其大小影響mos管開關速度。同時,此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。
再具體的,你可以查下mos管驅動電路的資料
mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用啊?
2樓:匿名使用者
小訊號模型中單獨拿出來分析的輸出阻抗
3樓:匿名使用者
洩放電阻,防止靜電擊穿gs結以及把g極可能的殘留電荷導向地。
4樓:匿名使用者
那不是電阻,是二極體,起保護啊
mos管並聯,npn型場效電晶體並聯,2個以上的並聯時,d漏極和s源極兩端會微導通,不知道怎麼辦,嘗
5樓:小溪
請配圖提問,否則無法回答你的問題,因為只有npn的三極體,沒有npn的場效電晶體。
6樓:音響帝國**
多個場效電晶體並聯,因為場效電晶體的vgs離散性很大,起始電壓差異也很大,回直接並聯是不行的,答必須用運算放大器進行有源均流,使vgs的差異縮小到1/kv倍,均流後,不但均流、均功耗(均溫),而且還能使輸入輸出線性化
mos管的源極和漏極有什麼區別
7樓:四舍**入
一、指代不同
1、源極:簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電,與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。
2、漏極:利用外部電路的驅動能力,減少ic內部的驅動, 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極:在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區(用p+表示),就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起,引出一個電極,稱為柵極(g),在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極:將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在n型矽片兩端各引出一個電極。
8樓:匿名使用者
1、區別:源極(source)source資源,電源,中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出,洩漏,中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
9樓:血刺廢車
mos管的定義:場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域,用p+表示,形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極,分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓,n區中的多子(也就是電子)可以導電。它們從源極s出發, 流向漏極d。
電流方向由d指向s,稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的,故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常製成對稱的,漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
,所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳,形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位,n襯底接高電位。
10樓:匿名使用者
對於絕緣柵nmos管,接高壓為漏端,接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上,nmos載流子是電子,由低電壓處提供,所以低壓端稱源端,pmos載流子是空穴,由高壓處提供,所以高壓端稱源端。
11樓:一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
mos管怎麼測出哪個d漏極哪個s源極
12樓:匿名使用者
一、因為mos管有bai體二極體,所以:du1、如果是zhinmos,用萬用表二極dao管檔量mos管體二極體導通的兩版腳,正極是權s極,負極是d極,剩下的是g極。
2、如果是pmos,用萬用表二極體檔量mos管體二極體導通的兩腳,正極是d極,負極是s極,剩下的是g極。
二、說明:
1、下圖是用萬用表二極體檔測量二極體的導通及其壓降:
用萬用表二極體檔測量二極體
2、nmos示意圖如下,供分析參考:
nmos
3、pmos示意圖如下,供分析參考:
pmos
開關電源mos漏極接的電阻起到什麼作用
13樓:匿名使用者
電流取樣的作用。通過u=ir可得知,當電流值升高時,因電阻值不變,所以相應
專的電屬
阻兩端的電壓也就會升高,升高的幅度大小會通過一個電阻,一般的為1千歐左右反饋回控制電路,比如是晶片的c/s腳,在低於或高於晶片某個設定值,通過變化範圍來與另外的取樣訊號一同做調控佔空比或mos管開關頻率,以達到整個電源系統安全和正常執行。所以,一般的電源中電阻值的變化會引起整個電源系統引數值的變化。
14樓:
這個電bai阻通常叫電流檢du測電阻 阻值一般zhi都在1歐姆2瓦特左右dao 有些大功率的版電源 此電阻值會小一點 0.5歐姆權 其實也就是個限流電阻 也就是說當負載大於額定功率時 電流通過此電阻接到晶片的電流檢測腳 起到保護作用
15樓:匿名使用者
這要看具體電路。開關mos管漏極電阻一般作限流用,有的地方也做電流取樣用。
16樓:匿名使用者
一般接跟反饋線到驅動ic的cs端,檢測並限制導通時的最大電流。
mosfet的源極和漏極之間的二極體的作用
17樓:修羅之雪
這個二極體是mosfet內部的等效電路。
從這個結構上可以看出**極和漏極之間存在一個pn結,而二極體本身就是有一個pn結形成的,所以這個結構就等效於在源極和漏極之間並聯了一個二極體。
18樓:匿名使用者
那是mosfet製作工藝過程中自然產生的,稱為寄生二極體,並非必須,更非專門設計。它很難避免,需要較為採取複雜的技術和工藝措施。
19樓:
保護mos管
防止d、s極之間的電壓過高擊穿mos管
20樓:匿名使用者
防止漏極電壓過高,對mos管的d/s極承受反壓擊穿mos管,
21樓:綠色匯金
這個二級管是個寄生二極體,
就是說,mosfet從孃胎出來,天生就帶這個東西,並非刻意所為。
不過,實際應用中,該二極體有潛在的好處----續流!
MOS管做電源開關，S極接電源，D極接負載，空載時D極電壓和
因為負載電流經過mos管時，在管子內阻上產生了電壓降。mos管做開關電路時，d極和s極可以互換嗎？就是說例如n mos，s極電源或者d極接電源都是可以的 理論上講是可以的。但是有些場效電晶體內部在ds間反向並聯了一個續流二極體，就不行了。功率型的mos管一般都帶有一個寄生二極體，如果漏極和源極互換的...
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