1樓:
npn管,基極是正壓,pnp管,基極是負壓,根據這個特點,判斷如下:
圖a, 沒有標
專vcc,電路就錯了,屬發射極接負極錯了,應該接正極才正常;
圖b,基極缺少正偏置電壓,不能工作,但是r如果足夠大,輸入訊號幅度較高,還是可以工作的;
圖c,與圖a基本上差不多的;
圖d,npn三極體,偏置正常,極性正常,放大電路常見的一種;
圖e,pnp三極體,偏置正常,極性正常,放大電路的一種;
圖f,與圖a的問題差不多,要換成npn三極體就正常了。
2樓:
只有 d 和 e 兩個電路形成了正確的偏置,可以實現靜態的穩定工作點。
有關類比電子技術基礎的題目,求大神解答,謝謝 100
3樓:必能
1.1.單向導電性;0.6~bai0.7v,一般寫0.7v就好.
1.a在反向du擊穿區zhi,反向擊
穿電流在dao較大範圍內變化
時,管子兩端的電
專壓變屬化範圍卻很小,起到穩壓作用.
2.b兩級放大電路總的通頻帶比任何一級放大電路都窄.因此,多級放大電路提高了電壓放大倍數,但是以犧牲通頻帶為代價.
3.d利用電場效應來控制半導體中多數載流子的運動,以實現放大作用.場效電晶體是電壓控制型器件,是柵源電壓控制漏極電流.而三極體是電流控制器件,是基極電流控制集電極電流.
4.a在本徵半導體矽或鍺的晶體中摻入微量三價元素硼(或鎵,銦等),半導體內部空穴的數量將增加成千上萬倍,導電能力大大提高,這類雜質半導體稱為p型半導體,也稱為空穴型半導體.
如果在本徵半導體矽或鍺的晶體中摻入微量五價元素磷(或砷,銻等),半導體內部的自由電子的數量將增加成千上萬倍,導電能力大大提高,這類雜質半導體稱為n型半導體,也稱為電子型半導體.
數位電子技術和類比電子技術有什麼區別？謝謝
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