1樓：黎仙書雲英
這個問題越來越難了，哈哈，還是
我回答，不知道你到底要做什麼產品，問看真有回答你的，你這樣問，說了這個行業廣，沒有辦法回答，手打沒有辦法，可以複製點給你。cvd(chemical
vapor
deposition,
化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用cvd方法制備。經過cvd處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
cvd是chemical
vapor
deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。
其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-al2o3、sic，而且正向更低溫度發展。
cvd工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。
cvd的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。
cvd是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是複雜的。
粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。
作為新的cvd技術，有以下幾種：
（1）採用流動層的cvd；
（2）流體床；
（3）熱解射流；
（4）等離子體cvd；
（5）真空cvd，等。
應用流動層的cvd如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在uo2表面被覆sic、c），應用等離子體的cvd同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大
2樓：謝謝
cvd的優缺點：
優點：cvd製備所得到的薄膜或材料一般純度很高，很緻密，而且容易形成結晶定向好的材料；能在較低溫度下製備難容物質；便於製備各種但是或化合物材料以及各種複合材料。
缺點：需要在高溫下反應，基片溫度高，沉積速率較低，使用裝置複雜，集體難於進行區域性沉積，參加反應的源和反應後的餘氣都有一定的毒性
(pvd需在較低的壓力下進行,沉積率幾乎100%.cvd在相對較高的壓力下進行.pvd具有方向性和陰影效應,cvd薄膜可以被均勻地塗覆在複雜零件的表面上,而較少受到陰影效應的限制.
cv可以有效地控制薄膜的化學成分,高的生產效率和低的裝置及執行成.與其他相關工藝具有較好的相容性.)
3樓：ccc菜辣椒
cvd定義：
通過氣態物質的化學反應在襯底上澱積一層薄膜材料的過程cvd技術特點：
具有澱積溫度低、薄膜成分和厚度易於控制、均勻性和重複性好、臺階覆蓋優良、適用範圍廣、裝置簡單等一系列優點
cvd方法幾乎可以澱積積體電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的sio2、多晶矽、非晶矽、氮化矽、金屬(鎢、鉬)等
4樓：匿名使用者
pvd與cvd的對比
cvd定義：
通過氣態物質的化學反應在襯底上澱積一層薄膜材料的過程cvd技術特點：
具有澱積溫度低、薄膜成分和厚度易於控制、均勻性和重複性好、臺階覆蓋優良、適用範圍廣、裝置簡單等一系列優點
cvd方法幾乎可以澱積積體電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的sio2、多晶矽、非晶矽、氮化矽、金屬(鎢、鉬)等
5樓：心理學課件
1. 原理比較
cvd(chemical vapor deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。
pvd是英文physical vapor deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。
pvd與cvd的相似點與不同點
6樓：漢軍陸戰隊
這個問題越來越難了，哈哈，還是 我回答，不知道你到底要做什麼產品，問看真有回答你的，你這樣問，說了這個行業廣，沒有辦法回答，手打沒有辦法，可以複製點給你。cvd(chemical vapor deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用cvd方法制備。
經過cvd處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
cvd是chemical vapor deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：
（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-al2o3、sic，而且正向更低溫度發展。
cvd工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 cvd的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。
目前，正在開發批量生產的新裝置。 cvd是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。
這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是複雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。 作為新的cvd技術，有以下幾種：
（1）採用流動層的cvd； （2）流體床； （3）熱解射流； （4）等離子體cvd； （5）真空cvd，等。 應用流動層的cvd如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在uo2表面被覆sic、c），應用等離子體的cvd同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大
pvd和cvd分別是什麼？
7樓：月似當時
pvd(physical vapor deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。
cvd是chemical vapor deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。
pvd技術出現於，製備的薄膜具有高硬度、低摩擦係數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高效能、高可靠性塗層裝置的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。
與cvd工藝相比，pvd工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密複雜刀具的塗層；pvd工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。
當前pvd塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。
擴充套件資料
cvd例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。
這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。
其技術特徵在於：
⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；
⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；
⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
8樓：馬哥
pvd是英文physical vapor deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊效能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在效能較低的母體上，使得母體具有更好的效能！
pvd基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）
cvd(化學氣相沉積)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大範圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態原材料匯入到一個反應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。
澱積氮化矽膜(si3n4)就是一個很好的例子，它是由矽烷和氮反應形成的。化學氣相沉積法是傳統的製備薄膜的技術，其原理是利用氣態的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態前驅體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜。化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、鐳射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。
對許多金屬和金屬合金一個有趣的爭論就是，他們是通過物理氣相沉積(pvd)還是通過化學氣相沉積(cvd)能得到最好的沉積效果。儘管cvd比pvd有更好的臺階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴散層薄膜都是通過pvd來沉積的，因為現有的大量裝置都是基於pvd系統的，工程技術人員對pvd方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然臺階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊牆覆蓋)，cvd方法將成為必不可少的技術。
相似的爭論也存在於產生低k值介質材料方面:是使用cvd方法好還是採用旋塗工藝好?
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