1樓:匿名使用者
ddr1的種類有ddr266 ddr333 ddr400區別是ddr400,333,266它們除了頻率上的區別外,還有延遲時間上的區別,ddr400的頻率是最快的,達到了200mhz(為什麼是200mhz,因為ddr記憶體是雙倍速率隨機動態同步儲存器的意思,所以ddr400是200乖以2得來的,那麼換算過了,ddr400的實際頻率就是200mhz,333的實際頻率是166的,266的是133的,ddr2533的是266,ddr2667是333的,ddr2800的是400mhz的。)但是ddr400也是ddr記憶體中延遲最後的,一般的,速度快的記憶體,相對速度慢的記憶體延遲要高些。從外觀上看它們大致相同,但是也有一定的區別,這主要是從與它們容量和速度相關的記憶體顆粒上看出的,256mb的記憶體不管是ddr幾的,都是單面的,而512與512兆以上的,多半是兩面都有顆粒的。
還有,ddr400的記憶體所使用的顆粒的速度是5ns的,而333的是6ns的,266的是7ns(一般是這樣的)。其次還有電壓和針腳定義的不同,還有封裝形式,大多是採用tsop(薄型小尺寸封裝)還有mbga(微型柵格球形陣列封裝)的。
ddr 和ddrii的區別在於是否是雙通道記憶體,以前的記憶體為266,333,400全部為單通道記憶體,那時因為cpu全部都是32位,而記憶體也是32位的,所以不需要採用雙通道模式,也沒有產生雙通道技術。現在的cpu絕大多數都是64位的,為了克服32位記憶體在執行時頻寬的限制,產生了雙通道技術,因而記憶體基本上都是雙通道的記憶體,即ddrii,規格有533,667,800,最新的還有1066的,因為ddrii生產量大,所以其**反而更低。
**嗎,512的應該是300以內,不過現在基本停產了,去中關村**看看。
2樓:匿名使用者
ddr1 400和ddr1 333
現在能買到的基本也是ddr400了,相容ddr333的。
最近我剛買了條的,**在350左右(黑啊,1g的ddr2就只要180左右)
不過你的主機板老了,可能插1g的記憶體也只能識別512m了,建議買2條512的記憶體條。
3樓:匿名使用者
ddr1400和333的區別就是外頻越高,速度越快!如果你原來的是333的話,400的可以自動降頻。現在333的不是很多見了。
還有1代記憶體現在不是很多,桌上型電腦的可能會便宜點。大多的是現在的,威剛的,1g大概400左右多吧!現在金士頓不一定是真的,有很多打磨過的。
買的時候注意別,別讓人給忽悠嘍!
4樓:匿名使用者
ddr1區別:400和333頻率不同,400較高,和現在的ddr2的667和533是乙個道理的,價錢就不同,品牌的ddr400大概是100塊,333是85左右。
5樓:匿名使用者
256舊的是120元左右512 250左右。
記憶體ddr1 ddr2 ddr3 ddr4代區分
6樓:網友
記憶體條之間的種類的區別,本質上是速度不同,越新的記憶體種類速度越快。
然後,為了保證不插錯,物理插槽也有不同。
下圖是ddr三代記憶體的外觀上的不同的對比。
1、ddr1代,最高到533。
2、ddr2代,最高到1066。
3、ddr3代,最高到2400左右。
4、ddr4代,從2400開始起步。
ddr4
筆記本記憶體條ddr4和ddr3的區別?
7樓:驚夢電子宅
ddr3和ddr4的區別:
1、外觀:ddr4記憶體金手指觸點達到了284個,每乙個觸點間距只有記憶體金手指觸點是240個,間距1mm)。因為這一改變,ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出,邊緣收矮的形狀,在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
ddr4 模組上的卡槽與 ddr3 模組卡槽的位置也不同。兩者的卡槽都位於插入側,但 ddr4 卡槽的位置稍有差異,以便防止將模組安裝到不相容的主機板或平臺中。
2、記憶體頻率:頻率方面,ddr3記憶體最高頻率只能達到了記憶體的起始頻率就已經達到了2133,產品的最高頻率達到了3000,從記憶體頻率來看,ddr4相比ddr3提公升很大。
3、記憶體容量:ddr4記憶體容量提公升明顯,可達128gb,上一代ddr3記憶體,最大單條容量為64gb,實際市面上能買到的基本是16gb/32gb,而新一代ddr4記憶體,單條容量最大可以達到128gb,媲美ssd了。
4、功耗:ddr4功耗明顯降低,電壓達到甚至更低,上一代ddr3記憶體,採用標準電壓,而ddr4記憶體則降低為,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省電,並且可以減少記憶體的發熱。
5、主機板相容:能相容ddr4的只有intel六代cpu對應的100系列主機板和amd新出的支援am4介面的主機板。而ddr3則幾乎支援市面上能夠買來的所有主機板。
8樓:網友
筆記本記憶體條ddr4和ddr3的區別有:
外形處理器。
引數ddr4與ddr3記憶體差異一:處理器。
每次記憶體公升級換代時,必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計,ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz,這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz,起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核,另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高,並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體,所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二:外型。
ddr4金手指變化較大。
宇瞻ddr4記憶體金手指變的彎曲了,並沒有沿著直線設計,這究竟是為什麼呢?一直一來,平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後,受到的摩擦力較大,因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況,為了解決這個問題,ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變,金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,每乙個觸點的間距從1mm縮減到。
ddr4與ddr3記憶體差異三:引數。
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是,比之ddr3-1866高出了超過70%。
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看,僅預設頻率頻寬就高達,可見ddr4對系統效能提公升重要性。
另外就是其它引數的改變,比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb(單顆晶元512mb,共16顆),而ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方面,ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造,電壓從ddr3的降低至ddr4的,移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
9樓:網友
ddr4記憶體條與ddr3記憶體條是兩種不同的記憶體條。
ddr3是一種計算機記憶體規格。它屬於sdram家族的記憶體產品,提供了相較於ddr2 sdram更高的執行效能與更低的電壓,是ddr2 sdram(同步動態動態隨機存取記憶體)的後繼者(增加至八倍),也是現時流行的記憶體產品規格。
ddr4記憶體是新一代的記憶體規格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條ddr4記憶體。
ddr4相比ddr3最大的區別有三點:16bit預取機制(ddr3為8bit),同樣核心頻率下理論速度是ddr3的兩倍;更可靠的傳輸規範,資料可靠性進一步提公升;工作電壓降為,更節能。
10樓:小村王成佳
不相容,後面的3,4代表的是記憶體的代數,記憶體除了代數要相同,還有頻率要匹配,電壓要匹配(注意自己的記憶體是標壓的還是低壓版的),用魯大師檢測下自己的記憶體引數,購買同規格的基本可以匹配。
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