1樓：續昶邊曼梅
按引腳極性可分為。
二極。晶閘旁蘆管。
三極。閘流體和四極閘流體；按。
封裝信顫形式。
可。分為金屬封裝。
單結電晶體。
的檢測。判斷單結電晶體發射極e的方滑啟敗法是：將萬用表置於。
2樓：但獻中飛柏
單結電晶體判別方法：
判斷單結電晶體發射極e的方法是：把萬用表置於r*100擋或r*1k擋，黑表筆接假設的發射極，紅表筆接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是單結電晶體的發射極。
單結電晶體b1和b2的判斷方法是：把萬用表置於r*100擋或r*1k擋，用黑表筆接發射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是b1極。
應當說明的是，上述判別塵緩b1、b2的方法，不一定對所有的單結電晶體都適用，有個別管子的e--b1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪。
極是b1，哪極是b2在實際使用中並不特別重要。即使b1、b2用顛倒了，也不會使管子損壞，隻影響輸出脈衝的幅度（單結電晶體多作脈衝發生器使用），當發現輸出的脈衝幅度偏小時，只要將原來假定的b1、b2對調過來就可以了。
單結電晶體（純隱雙基極二極體）效能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表r×1k檔，將黑表筆接發射極e，紅表筆依次接兩個基極（b1和b2），正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發射極e，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。
單結電晶體（做兄廳雙基極二極體兩個基極）（b1和b2）之間的正、反向電阻值均為2～10kω範圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極體已損壞。
單結電晶體的特性
3樓：李百年長
圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：
rbb=rb1+rb2
式中：rb1---第一基極與發射結之間的電阻，其數值隨發射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發射結之間的電阻，其數值與ie無關；發射結是pn結，與二極體等效。
若在兩個基極b2、b1間加上正電壓vbb，則a點電壓為：
va=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηvbb
式中：η-稱為分壓比，其值一般在之間，如果發射極電壓ve由零逐漸增加，就可測得單結電晶體的伏安特性，見圖2
圖2、單結電晶體的伏安特性 （1）當ve<η vbb時，發射結處於反向偏置，管子截止，發射極只有很小的漏電流iceo。
2）當ve≥η vbb+vd vd為二極體正向壓降（約為伏），pn結正向導通，i
e顯著增加，rb1阻值迅速減小，ve相應下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性。管子由截止區進入負阻區的臨界p稱為峰點，與其對應的發射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓vp和峰點電流是正向漏電流，它是使單結電晶體導通所需的最小電流，顯然vp=ηvbb
3）隨著發射極電流ie不斷上公升，ve不斷下降，降到v點後，ve不在降了，這點v稱為谷點，與其對應的發射極電壓和電流，稱為谷點電壓，vv和谷點電流iv。 （4）過了v點後，發射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態，所以uc繼續增加時，ie便緩慢地上公升，顯然vv是維持單結電晶體導通的最小發射極電壓，如果ve<>
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