1樓：木頭大寶劍
1.在看電路圖時，圖上的標記符號圖形都有明示。符號是fet(結型場效電晶體）、igfet(絕緣柵場效電晶體）三個極是g,d,s.
2.在看元件實物時，表面印刷的符號標註有3dj7j就是結型，3do7就是絕緣柵型.
3.用萬能表檢測管子時，只能測量一個大概，並不準。絕緣柵型的還不允許用萬能表測，因為柵極耐壓低、輸入電阻極高，容易被引入的靜電擊穿。
2樓：匿名使用者
用表量.三極體的其中一個腳和另外兩個腳都是通的. 場效電晶體的其中一個腳和另外兩個腳都不通的.
3樓：國彥友彥紅
以上兩位的答案已經很詳細了，我補充點具體資訊。有金屬的是大功率管，為了散熱，不能區分是什麼管。通常三極體較小，常用的有8050，1805。
1300，3dx等。場效電晶體一班比較大，是扁平的，有的標f。
4樓：隱苗仰曼珍
三極體與場效電晶體的區別在於場效管得有觸發訊號,而三極體不用,再三極體有放大訊號和縮小訊號兩種
5樓：以火慎沛柔
它們的電流不一樣，一個是圓的一個是方的
6樓：翦強鄧邁
現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,
特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件(電晶體是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小,其結構簡圖如圖c-a.
場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p-n結,在零偏壓的狀態下,它是導通的,如果在其柵極(g)和源極(s)之間加上一個反向偏壓(稱柵極偏壓)在反向電場作用下p-n變厚(稱耗盡區)溝道變窄,其漏極電流將變小,(如圖c1-b),反向偏壓達到一定時,耗盡區將完全溝道"夾斷",此時,場效電晶體進入截止狀態如圖c-c,此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓,用vpo表示,它與柵極電壓vgs和漏源電壓vds之間可近以表示為vpo=vps+|vgs|,這裡|vgs|是vgs的絕對值.
在製造場效電晶體時,如果在柵極材料加入之前,在溝道上先加上一層很薄的絕緣層的話,則將會大大地減小柵極電流,也大大地增加其輸入阻抗,由於這一絕緣層的存在,場效電晶體可工作在正的偏置狀態,我們稱這種場效電晶體為絕緣柵型場效電晶體,又稱mos場效電晶體,所以場效電晶體有兩種型別,一種是絕緣柵型場效電晶體,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置狀態,一種是結型柵型效應管,它只能工作在反向偏置狀態.
絕緣柵型場效電晶體又分為增強型和耗盡型兩種,我們稱在正常情況下導通的為耗盡型場效電晶體,在正常情況下斷開的稱增強型效應管.增強型場效電晶體特點:當vgs=0時id(漏極電流)=0,只有當vgs增加到某一個值時才開始導通,有漏極電流產生.
並稱開始出現漏極電流時的柵源電壓vgs為開啟電壓.
耗盡型場效電晶體的特點,它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作,而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻).
結型柵場效電晶體應用的電路可以使用絕緣柵型場效電晶體,但絕緣柵增強型場效管應用的電路不能用結型
柵場效電晶體代
回答什麼是三極體首先要先從什麼是半導體開始。半導體其實也可以算是絕緣體，但是它與絕緣體的區別在於，（以下市能帶論內容，不必完全理解，直到大概意思就行了）絕緣體禁頻寬度要比半導體近代寬度大不少！所以，價帶的電子不容易激發到導帶，所以不導電，而半導體因為禁頻寬度小，所以價帶電子容易進入導帶成為導電電子。
所以半導體成為了重要的電學材料。
以上是稍微的一點背景介紹。
半導體（一般用的），分為n型半導體和p型半導體，n型半導體一般就是在本徵半導體（純淨的無缺陷的半導體）中摻5族元素，如磷、砷等；p型半導體一般是在本徵半導體中摻3族元素，如硼。
三極體就是兩層p型半導體中間夾著一層n型半導體，或者兩層n型半導體中間夾著一層p型半導體，三層半導體分別引出電極，這就形成了一個三極體。
但是有一點要注意，這三層半導體材料不是很隨便就可以的，要滿足一定的厚度，摻雜濃度，等等~~
以下是三極體放大的原理（一般情況三極體都是用來放大的，下面是我以前回答別人時的答案，
其實不是三極體本身具有放大（功率放大）功能，而是三極體基級與直流電源相連，由直流電源提供功率放大所需的能量。
基級電流很小，但是由它引起的集電極電流變化卻很大（主要針對npn管，pnp管放大能力相對弱），至於為什麼能使集電極電流變化很大，最好看一下電晶體原理對電晶體內部電流的分析。有圖是最好的，否則光靠文字說，不太好理解。
再補充一點，從載流子角度來說，基級電流相當於提供發射極電流在基區複合掉的那部分，而發射極電流在流經基區時，有很少一部分與基區載流子複合（從電晶體結構來說，基區摻雜很低，也就是載流子濃度低，所以複合少），那麼也就是說發射極電路損失少，那麼基級電流補充的也就少，即基級電流很小。
發射極電流既然大部分都免於複合，那麼就到達了集電極，成為集電極電流，這部分相對於複合的部分來說是很大的。這樣從外部看，三極體就有了放大作用~
表達還是不是很清楚，請見諒~~
當然三極體還有可能只利用發射結或者集電結當作二極體用，一般都是在積體電路中~~
三極體和場效電晶體怎麼區分？
7樓：匿名使用者
三極體是
電流控制襲型
場效電晶體是電壓bai控制型du
從型號zhi
區分場效電晶體dao型號如 irf .........
三極體型號如 國產:3dd,國外:2s.........
場效電晶體有兩種命名方法。
第一種命名方法與雙極型三極體，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表 材料，d是p型矽，反型層是n溝道；c是n型矽p溝道。例如,3dj6d是結型n溝道場效應三極體，3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極體。
第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。
舉個三極體的例子：3dg12，這是我國三極體的典型命名方法：3表示三極體，d表示矽材料n管，g表示高頻中功率，12表示產品序號。
8樓：表頃王工
這個是我在天億電子 的**找到的:
一、晶體
雙極結型三極體相當於兩個背靠背的二極體 pn 結。正向偏置的 eb 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，並在反向偏置的 cb 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 ic 。在共發射極電晶體電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。
絕大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由於 vbe 很小，所以基極電流約為 ib= 5v/50 k ω = 0.1ma 。
如果電晶體的共發射極電流放大係數β = ic / ib =100, 集電極電流 ic= β*ib=10ma。在500ω的集電極負載電阻上有電壓降vrc=10ma*500ω=5v，而電晶體集電極和發射極之間的壓降為vce=5v，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，實現了雙極電晶體的電流放大作用。
金氧半導體場效應三極體的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 g 電壓 vg 增大時， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區 s 和 n+ 漏區 d 之間形成導電溝道。
當 vds ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 ids 流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 vt 。當 vgs>vt 並取不同數值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 vds 下也將產生不同的 ids , 實現柵源電壓 vgs 對源漏電流 ids 的控制。
二、電晶體的命名方法
電晶體：最常用的有三極體和二極體兩種。三極體以符號bg（舊）或（t）表示，二極體以d表示。按製作材料分，電晶體可分為鍺管和矽管兩種。
按極性分，三極體有pnp和npn兩種，而二極體有p型和n型之分。多數國產管用***表示，其中每一位都有特定含義：如 3 a x 31，第一位3代表三極體，2代表二極體。
第二位代表材料和極性。a代表pnp型鍺材料；b代表npn型鍺材料；c為pnp型矽材料；d為npn型矽材料。第三位表示用途，其中x代表低頻小功率管；d代表低頻大功率管；g代表高頻小功率管；a代表高頻大功率管。
最後面的數字是產品的序號，序號不同，各種指標略有差異。注意，二極體同三極體第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對於二極體來說，第三位的p代表檢波管；w代表穩壓管；z代表整流管。
上面舉的例子，具體來說就是pnp型鍺材料低頻小功率管。對於進口的三極體來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。
常用的進口管有韓國的90xx、80xx系列，歐洲的2sx系列，在該系列中，第三位含義同國產管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三極體參數列
型號 材料與極性
pcm(w)
icm(ma)
bvcbo(v)
ft(mhz)
3dg6c
si-npn
0.120 45
>100
3dg7c
si-npn
0.5100>60>100
3dg12c
si-npn
0.730040 >300
3dg111
si-npn
0.4100>20>100
3dg112
si-npn
0.410060 >100
3dg130c
si-npn
0.830060 150
3dg201c
si-npn
0.15
25 45
150c9011
si-npn
0.430 50
150c9012
si-pnp
0.625
-500
-40c9013
si-npn
0.625
50040 c9014
si-npn
0.45
10050 150
c9015
si-pnp
0.45
-100
-50100c9016
si-npn
0.425 30
620c9018
si-npn
0.450 30
1.1g
c8050
si-npn
1 1.5a
40 190
c8580
si-pnp
1 -1.5a
-402002n5551
si-npn
0.625
6001802n5401
si-pnp
0.625
-600
1601002n4124
si-npn
0.625
20030 300
四、用萬用表測試三極體
（1） 判別基極和管子的型別
選用歐姆檔的r*100（或r*1k）檔，先用紅表筆接一個管腳，黑表筆接另一個管腳，可測出兩個電阻值，然後再用紅表筆接另一個管腳，重複上述步驟，又測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個阻值都很小的，對應測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是pnp型的；反之，若用黑表筆接一個管腳，重複上述做法，若測得兩個阻值都小，對應黑表筆為基極，且管子是npn型的。
（2）判別集電極
因為三極體發射極和集電極正確連線時β大（錶針擺動幅度大），反接時β就小得多。因此，先假設一個集電極，用歐姆檔連線，（對npn型管，發射極接黑表筆，集電極接紅表筆）。測量時，用手捏住基極和假設的集電極，兩極不能接觸，若指標擺動幅度大，而把兩極對調後指標擺動小，則說明假設是正確的，從而確定集電極和發射極。
（2） 電流放大係數β的估算
選用歐姆檔的r*100（或r*1k）檔，對npn型管，紅表筆接發射極，黑表筆接集電極，測量時，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開兩種情況小指標擺動的大小，擺動越大，β值越高。
三極體和場效電晶體怎麼區分，怎麼區分三極體和場效電晶體
三極體是 電流控制襲型 場效電晶體是電壓bai控制型du 從型號zhi 區分場效電晶體dao型號如 irf 三極體型號如 國產 3dd,國外 2s.場效電晶體有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極體，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表 材料，d是p型矽，反型層...
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