1樓：網友
樓主，第一個問題呢，我理解得不是很清楚，所以我也不知道怎麼。
問題二：首先，我說下自己通俗的理解方式。
發射結為不對稱結，發射結的參雜濃度遠大於基極（幾十倍到上百倍）。基極的寬頻很小，發射結的多子電子非常多，你就想象他們是一群餓狼，想撲向基極，但是給pn結間的阻擋層擋住了。當發射結正偏時，相當於門被開啟了，這群餓狼電子就撲向基極，由於基極寬度很窄，大部分都能流到集電極。
集電極的寬頻很寬，從發射機流過來的電子幾乎都能擴散到集電極區。形成正向受控作用。
針對為什麼ib能夠控制ic，我從你承認的觀點出發，ie=ic+ib。首先ib是收vb控制的，ve=,ie=ve/re。
即，ie與vb有關，（把ve表示式代人第二式）。vb又與ib有關的，所以與其說是ib控制ic,還不如說是vb控制ic.不知道這樣說樓主能否理解。
那個放大倍數是和rc/re的大小有關的。放大倍數為vo/vi,vo=ic
rc,ic約=ie，ie=vi/re.所以他們與rc/re有關。(re沒有加旁路電容)
問題。三、你的理解是不正確的，三極體有四種狀態，放大，截止，飽和，擊穿。飽和的工作條件是發射結vbe和集電結vbc都處於正偏。
處於飽和狀態時，不具有正向受控特性。vbc增大時，ic和ie迅速減小。他們處於飽和時的偏置電壓叫飽和導通電壓，電流叫反向飽和電流。
由於他們的pn結兩邊的參雜濃度不一樣，所以導通電壓也不一樣。所以導通電壓的差值vce就可以衡量是否工作在飽和區。例如：
共發時，vce=就飽和了。飽和也是一個過度的。
有深度飽和和淺飽和。
以上是鄙人拙見，希望對樓主有所幫助。
2樓：紀奇達
錯了，p流向n是正向，n流向p是反向，是不是你把名字弄錯了，還是你記錯了。
ib為什麼能控制ic，這是有關三極體內部構造pn結了，這是因為當有電流從b流向e的時候，三極體內的pn結構造發生了改變，最後導致c和e之間的電阻變小（本來應是無限大的），能夠導電，電流可以過了，而卻c和e之間的電阻是跟ib的電流是成正比的！至於比值關係，是ib人家有自己的迴路沒錯，不過你有沒有想到，ic的迴路和ib的迴路是一樣的，不管ic ib，最後他們的終點站也是三極體的發射極，流向電源的負！！這樣為什麼會存在比值關係就不用說了吧！！
錯了，並不是ib太大！！pn結也沒有被擊穿！！事實上三極體的導通ib並不用太大的電流，如果假設真的要這麼打的電流，那三極體的電流放大作用就無從談起了（驅動功率太大了）！
其實你只要在三極體的基極上加一個大概的電壓，三極體就可以達到導通狀態了，而卻三極體的工作原理，並不會讓三極體反向擊穿！這就關於三極體的內部構造了，這是如果有一個ib的電流從b流向e時，三極體的內部pn結構造是發生了改變的，最後才令三極體的c e間能夠導電 工作！
希望你能滿意，得到你的。
3樓：網友
什麼叫飽和？ -打個比方你在一杯水裡慢慢的加糖，加到糖不能溶解水底能看到糖晶體時，這時就飽和了。
三極體問題
4樓：匿名使用者
1、你提出的「e極的摻雜濃度高，be間的電阻就小」。其理解錯誤在：摻雜濃度高---對應電阻小？
正確理解應當是：摻雜後，空穴（或自由電子）濃度增大，它們在同樣外電場的作用下產生更大的電流，也就是說，顯示為更小的電阻。但是，要注意，這是在反向電壓下產生的漂移電流。
也就是說：摻雜濃度越高，反向漏電阻越小。
但是在這裡，你測的是pn結的正向電壓，影響此電壓的是pn結的正向電阻，你用反向電阻的大小來代替這裡的正向電阻顯然是不對的。
正向電阻的大小受什麼影響呢？受雜質濃度大小影響：因為正向電流是擴散電流，擴散時的阻力就來自擴散時的雜質粒子的碰撞，它與雜質粒子的濃度成正比，（這一規律是任何擴散都遵守的）。
所以，雜質濃度大，正向擴散電阻大，正向電壓大。
2、摻雜濃度大，要阻止多子運動的耗盡層的電場強度大。（而不是電壓大！）
而電場強度等於電壓除以電場寬度，（公式：e=u/d）。在這裡的電場寬度就是pn結的厚度，在擴散過程中產生很大的電壓是不可能的，只要厚度小了，電場強度就能達到了。
3、在本徵半導體中，空穴與自由電子是等量的。若是加入三價雜質，則會產生多量的空穴，但是這些空穴遇到自由電子就會「複合」，空穴越多，與自由電子「複合」的機會就越多，也就是說，多子濃度越高，少子濃度就會越低。
補充：二極體的pn結是對稱pn結，這是與三極體的pn結的不同的地方。
二極體對於不同的用途，摻雜濃度是不同的：
1、整流用二極體，要求能承受的反向電壓 足夠大，摻雜濃度要小，這樣產生的內電場小，耗盡層寬，當在上面加上一個反向電壓時，此反向電壓產生的電場強度就小，於是反向擊穿電壓大；
2、穩壓二極體，要求的反向擊穿電壓由幾伏到幾十伏不等，反向擊穿電壓在6v及以下的，摻雜濃度要求較大，這時耗盡層很窄，反向加一個很小的電壓就能產生較大的電場強度，因此產生齊納擊穿（擊穿特性陡且擊穿電壓低）；
當摻雜濃度減小，反向擊穿電壓就會增大（產生雪崩擊穿）。只要控制摻雜濃度，就能控制反向擊穿電壓的大小。
5樓：
第一個問題：這裡不用電阻來理解，我個人認為不好計算，你不能只考慮體電阻，你紅接b，黑接e，c那麼結果是發射結和集電結的導通壓降，這樣就需要考慮結電阻的問題，如測試b和e吧，你要考慮基區電阻，發射區電阻，發射結電阻，同樣在測試b，c的時候一樣，所以不好用電阻來進行理解。用內場強度理解，就是勢壘電壓，e區濃度高，體積小，c區濃度低，面積大，這就很好理解了啊，發射結的話內場自然就比集電結大，所以導通時發射結電壓就就要比集電結的大。
第二個問題：pn的厚度問題，你要明白pn是內場，它是什麼形成的呢，無外場時，載流子是擴散，p區空穴往n擴，空穴走了就留下了負離子吧，n一樣電子走了，留下正離子，這些+，-離子就形成了內場，就是pn結，有外場用同樣的方法理解。所以內場是+-離子形成的，濃度高的話，單位面積離子多，要是形成大小一樣的場，自然是濃度高的厚度小了啊。
第三個問題：這個問題你要是數學想推的話，麻煩了，我也沒推過，我就記住了多子濃度和少子濃度的乘積是個常數。
三極體的理解
6樓：anyway中國
三極體實質上是放大電流的作用。
基極很小的電流，可以得到集電極及射極較大的電流，這是三極體的電流放大作用。
還有，三極體可以工作於線性區和飽和區。
您的理解，相當於三極體工作於飽和區，此時，三極體作為開關使用，其開關的作用。
7樓：網友
三極體的工作原理，其實和水龍頭的類似，這樣解釋，很容易理解！
關於三極體的問題
8樓：網友
我覺得不是這樣。
三極體著了放大作用外，還可以看做兩個共陽極二極體。
正常情況下，由於三極體b->e導通，ube等於二極體正常導通電壓。那麼，b級電位比e級高左右（按矽管算）。
只要c級比e級電位大於0v，那麼b->c就不會導通，反而是由c向b導通。
還有一種可能是vcc無限接近於0，或者變為負壓。那麼，c級電位比e級電位會變為。
或者更低，那麼就是b->c導通了，三極體實際作為兩個共陽極二極體在工作，電流由b到c流，是正常的。
9樓：anyway中國
不會！並且vbb不論多大，正常情況下，除了三極體be上的壓降之外，其餘全部落在rb兩端，否則，三極體會燒壞。
也就是說，實際上對於三極體而言，其b極的電壓還是隻有或左右。
10樓：匿名使用者
這個裡面實際有一個大家漏掉了，從理論上是有這個可能性的，但實際當中，不管vb再怎麼高於vcc,當然vb也只有按矽算).也是電流不可能從b流向c的。
那是因為在做三極體時，rbe永遠小於rbc.所以是不可能的。這好比一條水流過兩個叉路口時，發現在每一個叉路口上都有一個水閘只是一個高，一個低，那麼水當然是從低的流走了，怎麼可能還會走高的。
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