霍爾元件靈敏度是多少,一般來說霍爾元件靈敏度KH為多少

2021-03-10 21:32:09 字數 4926 閱讀 9778

1樓:白羊她的貓

一般霍爾元bai件靈敏度是

du0.1~0.5mv/(ma.g)之間。

早在2023年人們zhi就在金屬中發現

dao了霍爾效應,2023年就有版人用鉍製成了霍爾元件,用以權測量磁場。但由於這種效應在金屬中十分微弱,當時並沒有引起什麼重視。

2023年後,由於半導體技術的迅速發展,人們找到了霍爾效應較為顯著的半導體材料——鍺(ge),接著,在2023年前後,人們又對化合物半導體——銻化銦(insb)、砷化銦(inas)進行了大量的研究,並製成了較為滿意的元件。

這時霍爾效應以及它所具有的廣泛的應用才受到了人們普遍的重視。

2樓:anyway中國

從原來理看:

vh=khib

kh稱為靈敏

自度。單位為mv/(ma.g)

實際的bai

霍爾元件,通常分為開du

關型或線性型兩zhi

種,開關型一般不標dao稱靈敏度。線性型通常電流i由內部電路決定。因此,靈敏度的定義發生了變化。

vh=khb。單位變為mv/g

一般在1~5mv/g,假設供電電流為10ma,也可轉變為:

kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

一般來說霍爾元件靈敏度kh為多少

3樓:匿名使用者

霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.g)。

霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比,而與霍爾元件的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,單位為mv/(ma.g),它通常可以表徵霍爾常數。另外,如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值,具體還得看實驗用具。

實際的霍爾元件,通常分為開關型或線性型兩種,開關型一般不標稱靈敏度,而線性型通常電流i由內部電路決定。因此,靈敏度的定義發生了變化。

線性型霍爾元件中,從原理上看,由vh=khib變為vh=khb,單位變為mv/g,此時靈敏度一般在1~5mv/g 左右。

擴充套件資料

元件特性:

1、霍爾係數(又稱霍爾常數)rh

在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的rh稱為霍爾係數,它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

2、霍爾靈敏度kh(又稱霍爾乘積靈敏度)

霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,它通常可以表徵霍爾常數。

3、霍爾額定激勵電流

當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。

4、霍爾最大允許激勵電流

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。

5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。

7、霍爾元件的電阻溫度係數

在不施加磁場的條件下,環境溫度每變化1℃時,電阻的相對變化率,用α表示,單位為%/℃。

8、霍爾不等位電勢(又稱霍爾偏移零點)

在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下,在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。

4樓:踏樰

一、霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.

g)。霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比,而與霍爾元件的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,單位為mv/(ma.g),它通常可以表徵霍爾常數。

另外,如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值,具體還得看實驗用具。

二、霍爾元件是應用霍爾效應的半導體。一般用於電機中測定轉子轉速,如錄影機的磁鼓,電腦中的散熱風扇等;是一種基於霍爾效應的磁感測器,已發展成一個品種多樣的磁感測器產品族,並已得到廣泛的應用。

擴充套件資料:

元件特性:

1、霍爾係數(又稱霍爾常數)rh

在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的rh稱為霍爾係數,它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

2、霍爾靈敏度kh(又稱霍爾乘積靈敏度)

霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,它通常可以表徵霍爾常數。

3、霍爾額定激勵電流

當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。

4、霍爾最大允許激勵電流

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。

5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。

7、霍爾元件的電阻溫度係數

在不施加磁場的條件下,環境溫度每變化1℃時,電阻的相對變化率,用α表示,單位為%/℃。

8、霍爾不等位電勢(又稱霍爾偏移零點)

在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下,在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。

5樓:匿名使用者

你說的應該是線性霍爾的kh,市場上的產品一般是 一點幾 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯,如果你是大學物理裡的霍爾實驗那個值可能會到十以上,具體看實驗用具

6樓:匿名使用者

一般來說霍爾元件靈敏度的可以視為50。

7樓:狂野豔逍遙本尊

一般來說霍爾元件靈敏度kh為3600

8樓:哈嘍伊爾

正常開關型的霍爾元件靈敏度大概在70-100gz左右

物理實驗 霍爾元件靈敏度與霍爾係數 的關係式中單位是這幾個相乘嗎

9樓:棢犮耜羽

霍爾靈敏度通常可以表徵霍爾常數,其值是由材料的性質和元件的尺寸決定的,它決定了i、b一定時活兒電勢差的大小,對於一定的元件它是常量。霍爾係數表示霍爾效應的強弱。在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度b成反比,即uh =rh*i*b/b,式中的rh稱為霍爾係數,

實驗:霍爾效應中霍爾元件的靈敏度和哪些因素有關?

10樓:匿名使用者

答:霍爾效應中霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關。

霍爾效應,根據霍爾元件的靈敏度計算n型半導體中單位體積電子數n

11樓:秋楓狗的

霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場,則在寬度y方向上會產生電動勢uh,這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢,其大小可表示為: uh=rh/d*ic*b (1) 式中,rh稱為霍爾係數,由導體材料的性質決定;d為導體材料的厚度,ic為電流強度,b為磁感應強度。

設rh/d=k,則式(1)可寫為: uh=k*ic*b (2) 可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,k稱霍爾係數。k值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。

霍爾係數:k=1/(n*q)式中,n為載流子密度,一般金屬中載流子密度很大,所以金屬材料的霍爾係數係數很小,霍爾效應不明顯;而半導體中的載流子的密度比金屬要小得多,所以半導體的霍爾係數係數比金屬大得多,能產生較大的霍爾效應,故霍爾元件不用金屬材料而是用半導體。而在半導體材料中,n型半導體材料的載流子遷移率比p型半導體材料大,所以霍爾元件多采用n型半導體材料製作。

希望對你有所幫助。

霍爾感測器靈敏度的物理意義

12樓:匿名使用者

感測器中的元器件一般希望反饋資訊越快越好,所以對應的霍爾元件靈敏度越高感測器處理的資訊的速度越快!

感測器在製作好後其靈敏度基本上就是固定的了,感測器的測量範圍:對線形感測器的輸出一般可以寫為:y=a+bx;其中y為感測器的輸出,x是被測量,a是感測器的零位,b是感測器的靈敏度。

當被測量為測量上限xmax時, 0~xmax則為感測器的測量範圍,在該測量範圍內,上式給出的是感測器的理論工作直線,但它和實際的工作曲線存在微小偏離,若其最大偏離為δ,則感測器在該測量範圍內的誤差一般可寫為δ/ bxmax。感測器可以使用的前提是該誤差在測量範圍內對使用者的使用來講是可以忽略的。如果你要改變測量範圍,也就是要向大或者向小來改變xmax的值,此時不妨仍假設感測器的理論工作直線用上式表達,但是它的實際工作曲線要發生改變;也就是說你改變了測量範圍,其最大偏離δ也會發生變化,同時也必將改變感測器的滿量程輸出bxmax的值。

因此感測器的測量誤差發生改變;一般這個誤差會變大,但如果你仍然可以接受,那麼你就可以調整量程,反之就不能調整量程。

在實際應用上,你調整量程後要對感測器進行重新標定,重新標定後的誤差你能接受,就可以調整量程,反之就不能。

13樓:柒月黑瞳

霍爾靈敏度的物理意義是表示在單位磁感應強度相單位控制電流時的霍爾電勢大小。

感測器的工作原理是:

某些鐵磁物質在外界機械力作用下,其內部產生機械壓力,從而引起極化現象,這種現象稱為正壓電效應。相反,某些鐵磁物質在外界磁場的作用下會產生機械變形,這種現象稱為負壓電效應。

感測器(英文名稱:transducer/sensor)是一種檢測裝置,能感受到被測量的資訊,並能將感受到的資訊,按一定規律變換成為電訊號或其他所需形式的資訊輸出,以滿足資訊的傳輸、處理、儲存、顯示、記錄和控制等要求。

感測器的特點包括:微型化、數字化、智慧化、多功能化、系統化、網路化。它是實現自動檢測和自動控制的首要環節。

感測器的存在和發展,讓物體有了觸覺、味覺和嗅覺等感官,讓物體慢慢變得活了起來。通常根據其基本感知功能分為熱敏元件、光敏元件、氣敏元件、力敏元件、磁敏元件、溼敏元件、聲敏元件、放射線敏感元件、色敏元件和味敏元件等十大類。

14樓:匿名使用者

通過霍爾效應測量的霍爾係數,可確定半導體的導電型別、載流子濃度及遷移率等重要引數

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