1樓:匿名使用者
mos管pdf中都有一個vth的引數,這個引數是mos開通的門限電壓,當mos管gs兩端電壓低於此電壓時為低,高於此電壓時開始導通,當高於vmiller(這個pdf中不一定有)電壓後完全導通。
npn型mos管是高電平導通,為什麼g極電壓比s極電壓低時導通,反而稱作高電平導通? 5
2樓:匿名使用者
從來沒有npn型mos管這種說法。mos只有nmos和pmos兩種。npn和pnp是三極體的說法。
nmos的g=0.5v,s=5v,d=0v,這種說法也是錯誤的。這個時候s和d已經互換。如果vt低於0.5v,此時nmos導通。
需要指出的是,只有對稱型的mos才允許s和d互換。
mos管電平導通與截止
3樓:
從結構上看,n溝道耗盡型mos管與n溝道增強型mos管基本相似,其區別僅在於柵-源極間電壓vgs=0時,耗盡型mos管中的漏-源極間已有導電溝道產生,而增強
4樓:匿名使用者
簡單的說bai,mos管通過g端的電平來控制dud與s端的導通,就zhi像開關一樣(
daog為按鍵,版d與s分別為兩邊連線)。權
n、p型的區別,就是一個為正電壓啟動(nmos),一個為負電壓啟動(pmos)。
即:nmos的g端為高電平時,d端與s端導通,為低電平時d端與s端斷開;pmos相反。
ps:mos管比較重要的參考有vds,即d與s端允許的最大電壓值;ron,導通時的電阻;ton,toff,開關狀態轉變的時間。
ttl和cmos的高電平和低電平範圍分別。都是多少
5樓:匿名使用者
ttl積體電路使用ttl管,也就是pn結。功耗較大,驅動能力強,一般工作電壓+5v
cmos積體電路使用mos管,功耗小,工作電壓範圍很大,一般速度也低,但是技術在改進,這已經不是問題。
就ttl與cmos電平來講,前者屬於雙極型數字積體電路,其輸入端與輸出端均為三極體,因此它的閥值電壓是<0.2v為輸出低電平;>3.4v為輸出高電平。
而cmos電平就不同了,他的閥值電壓比ttl電平大很多。而串列埠的傳輸電壓都是以***s電壓傳輸的。
1,ttl電平:
輸出高電平》2.4v,輸出低電平<0.4v。在室溫下,一般輸出高電平是3.5v,輸出低電平
是0.2v。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平》=2.0v,輸入低電平<=0.8v,噪聲容限是
0.4v。
2,cmos電平:
1邏輯電平電壓接近於電源電壓,0邏輯電平接近於0v。而且具有很寬的噪聲容限。
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