1樓：清流異域
寄生電晶體，更準確的說法應該是有寄生電容的電晶體，英文又稱版transistor with parasitic capacitance.
寄生電容，又稱雜散權電容，指那些通常無可避免卻又不被需要的、僅僅因為電路元件相互接近而產生的電容。
在實際電路中，電感元件、二極體和電晶體具有內電容，但這會導致它們的行為偏離理想值。而且，兩個導體之間總是存在非零電容，在當諸如導線、印製電路板之類的元件被以更高頻率接近擺放時，這就會造成一些不被期待的結果。
而製造mos管或igbt時生成的不被期望存在的三極體就是所謂「寄生電晶體」的例子。
2樓：匿名使用者
製造mos管或igbt時生抄
成的不希望存在的三極體，工作不當時會產生意想不到的損壞。
gpu電晶體數量是cpu電晶體數量幾倍比較合適在預設頻率下
有關係呢，而且關係很大。3倍 4.5以內最好。4.5倍這段，cpu頻率越高，效能發揮的越好。你這5倍的關係，考驗的就是處理器的頻率能力了。10倍關係的，顯示卡一直等cpu。目前的顯示卡和cpu都是電晶體數量決定檔次。別的都是花花腸子。忽悠菜鳥用的。比如，無極玩家 版9600gso這款顯示卡，公版96...
什麼是電晶體的共發射極接法
共基極就是輸出訊號與輸出訊號共用基極作為基準點。電晶體只有三個極，基極作為共用基準點，集電極作為輸出，自然能只有把發射極作為輸入端了。要是訊號從集電極輸入，即從發射極輸出，實質這就是把c e互換，結果不能說不行，但是電晶體放大能力大打折扣，所以訊號從集電極輸入是不行的。除去訊號輸入端和輸出端.另一極...
如何判別電晶體基本放大電路是哪種接法
主要是觀察輸出端與復輸入端共用的制電極是哪一個。例如bai,共發射極du電路 輸出端是集電極和zhi發射極dao,輸入端是基極和發射極,其共用端頭就是發射極。詳見中的有關說明。這個簡單,看電容抄的位置就 襲可以區分出來。從輸出bai耦合電容的位置,可du 以明顯區分出共集電極 zhi和共射極電dao...