什麼是單結電晶體 有什麼特性 詳解

2023-06-24 14:35:13 字數 2135 閱讀 4176

1樓:匿名使用者

單結電晶體(簡稱ujt)又稱基極二極體,它是一種只有一個pn結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,它的基片為條狀的高阻n型矽片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在矽片中間略偏b2一側用合金法制作一個p區作為發射極e。其結構、符號和等效電路如圖所示。

單結電晶體的特性:

從圖1可以看出,兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻:

rbb=rb1+rb2

式中:rb1---第一基極與發射結之間的電阻,其數值隨發射極電流ie而變化,rb2為第二基極與發射結之間的電阻,其數值與ie無關;發射結是pn結,與二極體等效。

若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓vbb,則a點電壓為:

va=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηvbb

式中:η-稱為分壓比,其值一般在之間,如果發射極電壓ve由零逐漸增加,就可測得單結電晶體的伏安特性,見圖2

1)當ve<η vbb時,發射結處於反向偏置,管子截止,發射極只有很小的漏電流iceo。

2)當ve≥η vbb+vd vd為二極體正向壓降(約為伏),pn結正向導通,ie顯著增加,rb1阻值迅速減小,ve相應下降,這種電壓隨電流增加反而下降的特性,稱為負阻特性。管子由截止區進入負阻區的臨界p稱為峰點,與其對就的發射極電壓和電流,分別稱為峰點電壓vp和峰點電流ip和峰點電流是正向漏電流,它是使單結電晶體導通所需的最小電流,顯然vp=ηvbb

3)隨著發射極電流ie不斷上升,ve不斷下降,降到v點後,ve不在降了,這點v稱為谷點,與其對應的發射極電壓和電流,稱為谷點電壓,vv和谷點電流iv。

4)過了v點後,發射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態,所以uc繼續增加時,ie便緩慢地上升,顯然vv是維持單結電晶體導通的最小發射極電壓,如果ve<vv,管子重新截止。

2樓:匿名使用者

只有一個pn結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件,早期稱為雙基極二極體。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的n型單晶半導體作為基區,兩端做成歐姆接觸的兩個基極,在基區中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜製成 pn結作為發射極(圖中)。當基極b1和b2之間加上電壓時(圖中b),電流從b2流向b1,並在結處基區對b1的電勢形成反偏狀態。

如果將一個訊號加在發射極上,且此訊號超過原反偏電勢時,器件呈導電狀態。一旦正偏狀態出現,便有大量空穴注入基區,使發射極和b1之間的電阻減小,電流增大,電勢降低,並保持導通狀態,改變兩個基極間的偏置或改變發射極訊號才能使器件恢復原始狀態。因此,這種器件顯示出典型的負阻特性(見圖c),特別適用於開關係統中的弛張振盪器,可用於定時電路、控制電路和讀出電路。

單結電晶體有什麼作用?是怎樣工作的?

3樓:匿名使用者

二正逗極管就是最常用的單孫喊結型電晶體,沒有二極體,你想吧,首先,交流舉凱賣電無法變成直流電,需要單向導電的地方都實現不了。不能提供穩定的電壓基準,不能檢波。。。

單結電晶體有哪些特點

4樓:能不能不刪啊

1、當發射極電壓等於峰點電壓up時,單結電晶體導通。導通之後,當發射極電壓小於谷點電壓uv時,單結電晶體就恢復截止。

2、單結電晶體的峰點電壓up與外加固定電壓ubb及其分壓比有關。而分壓比是由管子結構決定的,可以看做常數。對於分壓比不同的管子,或者外加電壓ubb的數值不同時,峰值電壓up也就不同。

3、不同單結電晶體的谷點電壓uv和谷點電流iv都不一樣。谷點電壓大約在2~5v之間。在觸發電路中,常選用稍大一些、uv低一些和iv大一些的單結管,以增大輸出脈衝幅度和移相範圍。

立創**提供。

單結電晶體的主要引數

5樓:豪豪

(1)基極間電阻rbb 發射極開路時,基極b1、b2之間的電阻,一般為2--10千歐,其數值隨溫度上升而增大。

2)分壓比η 由管子內部結構決定的常數,一般為。

3)eb1間反向電壓vcb1 b2開路,在額定反向電壓vcb2下,基極b1與發射極e之間的反向耐壓。

4)反向電流ieo b1開路,在額定反向電壓vcb2下,eb2間的反向電流。

5)發射極飽和壓降veo 在最大發射極額定電流時,eb1間的壓降。

6)峰點電流ip 單結電晶體剛開始導通時,發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流。

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