1樓：一縷麥香
2分鐘使你真正瞭解半導體，p型半導體與n型半導體詳解，二極體，0基礎學習電子知識，二極體的內部成分，半導體詳細講解
2樓：匿名使用者
半導體導電型別的測試: hall measurement 或者hot point method
或者理論分析，理論分析上我也有點困惑。對於化合物半導體，到底是什麼載流子，還是得看摻雜型別吧~
3樓：匿名使用者
n型半導體：在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了n型半導體。
多數載流子：n型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。
少數載流子：n型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。
n型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能也就越強。
p型半導體：在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，形成p型半導體。
pn結的形成：將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上，在它們的交介面就形成pn結。
pn結的特點：具有單向導電性。
半導體摻雜後仍是中性的,判斷它是主要是什麼導電的就行了啊.是電子那就是 n型,空穴就p.
怎樣判斷半導體是n型還是p型？具體闡述。謝謝～
4樓：假面
用霍爾效應：兩端通電，在內部會形成穩定電流，但在半導體的上下表面是沒有電位差的；然後在半導體的兩個對面的側，加一個面磁場，這個時候在半導體另兩個側面上會形成電勢差（因為內部的載流子在磁場作用下發生了偏轉）。
因為n型半導體載流子是電子，故根據電流的方向和兩個側面的電位高低就可以進行判斷。
如果條件允許，找一個摻雜已知的半導體，然後把他們粘到一起，組成個整體結，分別測兩端電流導通情況，如果出現不能導通情況，則說明未知的和已知的相反，如果都導通，則相同。
當電流垂直於外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應使用左手定則判斷。
5樓：一縷麥香
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6樓：微言悚聽
判斷半導體n/p型的方法：用左手定則,磁場方向穿過手心,四指的方向為電流方向,拇指的方向為電場方向,拇指指向負電荷一方,此時為p型半導體；若方向正好相反,則為n型半導體。
7樓：雪窗螢火
怎樣判斷半導體是n型還是畸形這個我就是真的不太瞭解了。
8樓：匿名使用者
用左手定則，符合左手定則的是p型反之為n型。
9樓：匿名使用者
如何用一個電路判斷半導體的p、n型
如何實驗確定半導體是n型還是p型
10樓：匿名使用者
什麼是半導體？n型p型有啥區別？太陽能電池原理（上）
11樓：一縷麥香
2分鐘使你真正瞭解半導體，p型半導體與n型半導體詳解，二極體，0基礎學習電子知識，二極體的內部成分，半導體詳細講解
12樓：無語翹楚
1、用霍爾效應：兩端通電，在內部會形成穩定電流，但在半導體的上下表面是沒有電
內位差的；然
容後在半導體的兩個對面的側，加一個面磁場，這個時候在半導體另兩個側面上會形成電勢差（因為內部的載流子在磁場作用下發生了偏轉），因為n型半導體載流子是電子，故根據電流的方向和兩個側面的電位高低就可以進行判斷。
2、如果條件允許，你找一個摻雜已知的半導體，然後把他們粘到一起，組成個整體結，分別測兩端電流導通情況，如果出現不能導通情況，則說明未知的和已知的相反，如果都導通，則相同。
如何判斷霍爾元件是n型半導體還是p型半導體
13樓：du知道君
霍爾效應可以測來定載自流子濃度及載流子遷移率等重要引數，以及判斷材料的導電型別，是研究半導體材料的重要手段。
還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製、放大。用霍爾效應制作的感測器
14樓：瓊樓登高人為峰
主要依靠導帶電bai子導du電的半導體稱之為zhin型半導體，也即dao是電子型半導體。主要依版靠空穴導電的半導體稱權之為p型半導體，也即是空穴型半導體。
用左手定則，磁場方向穿過手心，四指方向為電流方向，拇指為電場方向,拇指指向負電荷一側，此時為p型半導體，空穴型.若方向正好相反，則為n型半導體，也是電子型。
半導體指常溫下導電效能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在積體電路、消費電子、通訊系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極體就是採用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。
15樓：舜儀岑芳洲
主要依靠導帶電子導電的半導體稱之為n型半導體，也即是電子型半導體。主要依靠空穴導電的半導體稱之為p型半導體，也即是空穴型半導體。
怎麼用霍爾法判斷n型半導體和p型半導體 50
16樓：墨汁諾
當is與im都為正值時，霍爾電壓vh為正則為p型。為負是n型
霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數，以及判斷材料的導電型別，是研究半導體材料的重要手段。
還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製、放大。用霍爾效應制作的感測器。
17樓：匿名使用者
這個好難得抄書哦
看下半導體物理就好了
半導體的型別-n型、p型是怎樣定義和區別的？
18樓：假裝是個小號
下面，我們將採用對比分析的方法來認識p型半導體和n型半導體。
p型半導體也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成p型半導體。
在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。
n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了n型半導體。
在n型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。
擴充套件資料
半導體（ semiconductor），指常溫下導電效能介於導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。
半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。
常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
以gan（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。gan基光電器件中，藍色發光二極體led率先實現商品化生產 成功開發藍光led和ld之後，科研方向轉移到gan紫外光探測器上 gan材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶片設計上一個新的里程碑。
美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。
參考資料
19樓：angleeee丶
一、區別：
形成原因不同：
在半導體中摻入施主雜質，就得到n型半導體；施主雜質：週期表第v族中的某種元素，例如砷或銻。
在半導體中摻入受主雜質，就得到p型半導體；受主雜質：週期表中第ⅲ族中的一種元素，例如硼或銦。
2.導電特性不同：
p型半導體的導電特性：它是靠空穴導電，摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能也就越強。
n型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能也就越強。
二、定義
（一）、n型半導體，也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。 「n」表示負電的意思，取自英文negative的第一個字母。
在這類半導體中，參與導電的 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。
（二）、p型半導體，也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。
拓展資料：
半導體特殊性：
半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。
★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
半導體分類：
按照其製造技術可以分為：積體電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照ic、lsi、vlsi（超大lsi）及其規模進行分類的方法。
此外，還有按照其所處理的訊號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
20樓：一縷麥香
2分鐘使你真正瞭解半導體，p型半導體與n型半導體詳解，二極體，0基礎學習電子知識，二極體的內部成分，半導體詳細講解
21樓：匿名使用者
p型半導體也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了n型半導體。在n型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。
摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。
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