1樓:匿名使用者
霍爾效應測量磁場的範圍的話,一般可以達到400左右吧,然後這個方法這個還是比較好的一個方法。
用霍爾效應測量磁場
2樓:罌粟的眼淚
兩種霍爾元件,一種開關型的,一種線性變化的。
在磁場中,電流流過霍爾元件的矽片,側邊會產生一個電壓,線性元件的輸出電壓隨外磁場而改變。
3樓:溪楓
(1)、n,p,n,電子,空穴。
(2)、霍爾效應原理:運動的帶電粒子在磁場中受洛倫茲力的作用而引起的偏轉,導致在垂直電流和磁場方向上產生正負電荷的聚積,從而形成附加的橫向電場。
4樓:水芹翟元洲
半導體有p型與n型,霍爾元件一般用n型,電子遷移率大於空穴遷移率。
霍爾效應的原理是運動的載流子在磁場中受到洛倫茲力作用,受力方向垂直於運動方向,載流子會嚮導電方向垂直的部位聚集,導致產生電勢差。
5樓:督書肖明
分為p型半導體和n型半導體
霍爾效應可以測量磁場,通過哪些物理量
6樓:匿名使用者
1需要測量霍爾電壓,電壓間的距離,運動電荷速率.
2.電壓表選高內阻的,霍爾件等效內阻也要小,方可.
採用霍爾元件來測量磁場時具體要測量哪些物理量
7樓:小溪
依據霍爾效應,用霍爾元件來測量磁場時需要的物理量有:
1、通過霍爾元件的激勵電流i。
2、穿過霍爾元件的磁場b。
3、霍爾元件形成的霍爾電動勢e。
e=khib
其中kh為霍爾元件的靈敏度。
霍爾效應可以測量磁場,通過哪些物理量的測量來對磁
8樓:非公開兩人
因為霍爾元件要實現準確測量的基本要求是磁場能夠按既定的方向正確穿過霍爾元件的那個受磁面(不記得名字了,就這樣說了,你理解一下),在接通電流的那一極就會存在電子或電荷的偏移,在第三個對面上產生電勢差,再通過計算轉換得到電磁強度
霍爾效應可以測量磁場,通過哪些物理量的測量來對磁場進行測量?
9樓:匿名使用者
uh=kh*ih*b
uh為霍爾電壓,即由於霍爾效應產生的電壓。ih為霍爾電流,即流過元件的電流。kh為比例係數,由元件本身決定。
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