1樓:匿名使用者
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什麼是真空鍍膜技術?
2樓:匿名使用者
所謂真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內,採用一定方法加熱待鍍材料,使之蒸發或昇華,並飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。
一、鍍膜的方法及分類
在真空條件下成膜有很多優點:可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應(如氧化等),以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量,從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2pa,對於蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合,則要求壓力更低。
主要分為一下幾類:
蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
蒸發鍍膜:通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於2023年提出,現代已成為常用鍍膜技術之一。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜,常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.
2電子伏。
蒸發源有三種型別。1電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質(圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖])電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料。
2高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。3電子束加熱源:
適用於蒸發溫度較高(不低於2000[618-1])的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層,可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當它被加熱到一定溫度時,爐中元素以束狀分子流射向基片。
基片被加熱到一定溫度,沉積在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。
濺射鍍膜:用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面,沉積在基片上。濺射現象於2023年開始用於鍍膜技術,2023年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。
常用的二極濺射裝置如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾釐米。
系統抽至高真空後充入 10-1帕的氣體(通常為氬氣),在陰極和陽極間加幾千伏電壓,兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極,與靶表面原子碰撞,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。
與蒸發鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法,即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。
基片裝在接地的電極上,絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地,一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後,高頻電壓不斷改變極性。
等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子,絕緣靶表面帶負電,在達到動態平衡時,靶處於負的偏置電位,從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。
離子鍍:蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面,稱為離子鍍。這種技術是d.
麥托克斯於2023年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極,外殼作陽極,充入惰性氣體(如氬)以產生輝光放電。
從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約佔蒸發料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。
電場對離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和氬離子對基片的濺射清洗作用,使膜層附著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點,並有很好的繞射性,可為形狀複雜的工件鍍膜。
二、薄膜厚度的測量
隨著科技的進步和精密儀器的應用,薄膜厚度測量方法有很多,按照測量的方式分可以分為兩類:直接測量和間接測量。直接測量指應用測量儀器,通過接觸(或光接觸)直接感應出薄膜的厚度。
常見的直接法測量有:螺旋測微法、精密輪廓掃描法(臺階法)、掃描電子顯微法(sem);
間接測量指根據一定對應的物理關係,將相關的物理量經過計算轉化為薄膜的厚度,從而達到測量薄膜厚度的目的。
常見的間接法測量有:稱量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測量的原理可分為三類:稱量法、電學法、光學法。
常見的稱量法有:天平法、石英法、原子數測定法;
常見的電學法有:電阻法、電容法、渦流法;
常見的光學方法有:等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。
下面簡單介紹三種:
1. 干涉顯微鏡法
干涉條紋間距δ0,條紋移動δ,臺階高為t=(δ/δ0 )*0.5λ,測出δ0 和δ,即可,其中λ為單色光波長,如用白光,λ取 530nm。
2. 稱重法
如果薄膜面積a,密度ρ和質量m可以被精確測定的話,膜厚t就可以計算出來:
d=m/aρ。
3 石英晶體振盪器法
廣泛應用於薄膜澱積過程中厚度的實時測量,主要應用於澱積速度,厚度的監測,還可以反過來(與電子技術結合)控制物質蒸發或濺射的速率,從而實現對於澱積過程的自動控制。
對於薄膜製造商而言,產品的厚度均勻性是最重要的指標之一,想要有效地控制材料厚度,厚度測試裝置是必不可少的,但是具體要選擇哪一類測厚裝置還需根據軟包材的種類、廠商對厚度均勻性的要求、以及裝置的測試範圍等因素而定。
三、真空鍍膜機保養知識:
1. 關閉泵加熱系統,然後分離蒸鍍室(主要清潔灰塵,於蒸鍍殘渣)
2. 關閉電源或程式打入維護狀態
3. 清潔卷繞系統(幾個滾軸,方阻探頭,光密度測量器)
4. 清潔中罩室(面板四周)
5. 泵系統冷卻後開啟清潔(注意千萬不能掉入雜物,檢查泵油使用時間與量計做出更換或新增處理)
6. 檢查重冷與電氣櫃裝置
這次實習給了我們瞭解了鍍膜技術的原理、技術,使我們瞭解了工廠的生產,感覺很新穎,收穫很多。
3樓:匿名使用者
按用途分:功能鍍膜(導電膜,液晶薄膜,薄膜電容和切削刀具鍍膜)、裝飾鍍膜(衛浴、五金、各類產品外殼)和包裝鍍膜(包裝材料)
按裝置型別分:蒸鍍機(evaprotaton)、濺鍍機(sputter)以及離子鍍機(ion plating)、化學鍍膜機(cvd)
按反應型別分:化學鍍膜和物理鍍膜
真空鍍膜技術就是在真空環境下,通過化學、物理方式將反應物或者靶材沉積到基板上的薄膜氣象沉積技術。
4樓:手機使用者
您是說光學薄膜?鍍兩種料一般是sio2 tio5
真空鍍膜原理是什麼?
5樓:___耐撕
真空鍍膜原理:
1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。
2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體,藉助氣相作用或基體表面上的化學反應,在基體上製出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有cvd和pvd兩者特點的等離子化學氣相沉積等。
6樓:張樺小錦
蒸發鍍膜
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於2023年提出,現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜裝置結構如圖1。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜,常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.
2電子伏。
編輯本段型別
蒸發源有三種型別。1電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質(圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖]
)電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料;2高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質;3電子束加熱源:適用於蒸發溫度較高(不低於2000[618-1])的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層,可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖
]。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當它被加熱到一定溫度時,爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度,沉積在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。
通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。
編輯本段濺射鍍膜
用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面,沉積在基片上。濺射現象於2023年開始用於鍍膜技術,2023年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射裝置如圖3[ 二
極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材──靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾釐米。
系統抽至高真空後充入 10~1帕的氣體(通常為氬氣),在陰極和陽極間加幾千伏電壓,兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極,與靶表面原子碰撞,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。
與蒸發鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法,即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。
基片裝在接地的電極上,絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地,一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後,高頻電壓不斷改變極性。
等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子,絕緣靶表面帶負電,在達到動態平衡時,靶處於負的偏置電位,從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。
編輯本段離子鍍
蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面,稱為離子鍍。這種技術是d.麥托克斯於2023年提出的。
離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極,外殼作陽極,充入惰性氣體(如氬)以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。
正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約佔蒸發料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和氬離子對基片的濺射清洗作用,使膜層附著強度大大提高。
離子鍍工藝綜合了蒸發(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點,並有很好的繞射性,可為形狀複雜的工件鍍膜。
真空鍍膜裝置的使用步驟，學習真空鍍膜機如何操作
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真空鍍膜的前處理流程是怎樣的，謝謝
簡介真空鍍膜 在真空中製備膜層，包括鍍制晶態的金屬 半導體 絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也採用減壓 低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜 濺射鍍膜和離子鍍。蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法...