1樓：匿名使用者
實用電路如下圖（用n溝道的增強型mos管電路形式最為簡潔，選一款通態電阻小的mos管，耐壓不必高，額定電流夠了就行）——
2樓：陳泳菁
可以看電磁繼電器相關資料
3樓：小齊歲月
哦，很簡單的，pwm波形由微控制器產生，加到mosfet的門極。高電平則開，則負載電源5v通，低則閉合電源5v斷。整個迴路串聯就可以。
請推薦一場效電晶體和電路圖，用於5v或3.3v微控制器控制5v和12v電源通斷
4樓：匿名使用者
電路圖見下圖，有來具自體的元器件型號：
帶軟bai開啟功能的mos管電du源開關電路具體的zhi分析，dao見文章《
帶軟開啟功能的mos管電源開關電路》
不過要求2a電流的話，圖示的mos管已經到達上限了，除非有充足的降溫措施，不然穩定性不夠，還是換用更大封裝的管子會比較好。這個管子的電流引數見下圖：
5樓：藏在水中的人
ntr4503n，最大漏極電流id=2.5a，源漏極間雪崩電壓vbr=30v，幾毛錢一個。給你個簡單的控制電路圖可以用
6樓：匿名使用者
推薦一款2n7002，開啟電壓2.2v，我給的這個電路用法中，用了兩個，其中一個的作用是邏輯取反，接led的那個用於開關作用
7樓：匿名使用者
p60no6，n溝道mos管，60a,60v耐壓，做電動車控制器的，**很便宜1-2元，電路簡單你可以試一下。
場效電晶體如何做開關使用，硬體如何連，微控制器如何控制？
8樓：匿名使用者
如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,一個irf640要3塊錢左右,用一個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出一個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可
9樓：渢
你去查查irf640的驅動方法吧。
這兩顆引數類似，irf640n是irf640的改進型，導通電阻要小一些
這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。
加一級三極體或者光偶把控制電平提升到12v試試
求一個微控制器控制mos管的電路圖
10樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
11樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
12樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
13樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
我需要用場效電晶體（irf540n）搭建一個開關電路，所帶負載為12v，6a；採用51微控制器io口驅動，不能冒煙哦 5
14樓：匿名使用者
這玩意抄就三個腳，中間一個
襲腳就跟繼電器 三極體一樣，給個高電平 通 低電平斷 就這麼回事兒還要啥圖啊。 另外，你這個 都6a了，這個效應管撐得住麼？ 你要多大的散熱啊…… 用繼電器吧。
經常用微控制器設計電路，常用到的場效電晶體有什麼型號的
15樓：匿名使用者
樓主可以根據負載選擇場效電晶體。
常用場效電晶體及電晶體引數(1)
電晶體型號 反壓vbe0 電流icm 功率62616964757a686964616fe59b9ee7ad943133333738393**cm 放大係數 特徵頻率 管子型別
irfu020 50v 15a 42w * * nmos場效應
irfpg42 1000v 4a 150w * * nmos場效應
irfpf40 900v 4.7a 150w * * nmos場效應
irfp9240 200v 12a 150w * * pmos場效應
irfp9140 100v 19a 150w * * pmos場效應
irfp460 500v 20a 250w * * nmos場效應
irfp450 500v 14a 180w * * nmos場效應
irfp440 500v 8a 150w * * nmos場效應
irfp353 350v 14a 180w * * nmos場效應
irfp350 400v 16a 180w * * nmos場效應
irfp340 400v 10a 150w * * nmos場效應
irfp250 200v 33a 180w * * nmos場效應
irfp240 200v 19a 150w * * nmos場效應
irfp150 100v 40a 180w * * nmos場效應
irfp140 100v 30a 150w * * nmos場效應
irfp054 60v 65a 180w * * nmos場效應
irfi744 400v 4a 32w * * nmos場效應
irfi730 400v 4a 32w * * nmos場效應
irfd9120 100v 1a 1w * * nmos場效應
irfd123 80v 1.1a 1w * * nmos場效應
irfd120 100v 1.3a 1w * * nmos場效應
irfd113 60v 0.8a 1w * * nmos場效應
irfbe30 800v 2.8a 75w * * nmos場效應
irfbc40 600v 6.2a 125w * * nmos場效應
irfbc30 600v 3.6a 74w * * nmos場效應
irfbc20 600v 2.5a 50w * * nmos場效應
irfs9630 200v 6.5a 75w * * pmos場效應
irf9630 200v 6.5a 75w * * pmos場效應
irf9610 200v 1a 20w * * pmos場效應
irf9541 60v 19a 125w * * pmos場效應
irf9531 60v 12a 75w * * pmos場效應
irf9530 100v 12a 75w * * pmos場效應
irf840 500v 8a 125w * * nmos場效應
irf830 500v 4.5a 75w * * nmos場效應
irf740 400v 10a 125w * * nmos場效應
irf730 400v 5.5a 75w * * nmos場效應
irf720 400v 3.3a 50w * * nmos場效應
irf640 200v 18a 125w * * nmos場效應
irf630 200v 9a 75w * * nmos場效應
irf610 200v 3.3a 43w * * nmos場效應
irf541 80v 28a 150w * * nmos場效應
irf540 100v 28a 150w * * nmos場效應
irf530 100v 14a 79w * * nmos場效應
irf440 500v 8a 125w * * nmos場效應
irf230 200v 9a 79w * * nmos場效應
irf130 100v 14a 79w * * nmos場效應
buz20 100v 12a 75w * * nmos場效應
buz11a 50v 25a 75w * * nmos場效應
bs170 60v 0.3a 0.63w * * nmos場效應
功放IC和場效電晶體哪個音質好，功放用場效電晶體好嗎？
當然是分立的好了。功放整合ic一般都是按照某個統一標準設計的，突出的是標準化和產業化，效能通常比較中庸，使用方便，適合批量化生產和使用，但各項效能特別是一些極限效能往往一般般。以cmos組成的分立音訊放大電路，雖然設計製作除錯比較複雜，但適應性卻很好，所有型別的電路都能做，而且精通模電的人可以用它實...
場效電晶體管腳問題，場效電晶體怎麼判斷腳位。
1 結型場效電晶體的管腳識別 場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r 1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正 反向電阻。當某兩個管腳間的正 反向電阻相等，均為數k 時，則這兩個管腳為漏極d和源極s 可互換 餘下的一個管腳即為柵極g。對於有4個...
場效電晶體共分幾種，場效電晶體基本放大器按公共端不同可分為哪幾種？
場效應電晶體 fieldeffecttransistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。主要有兩種型別 junctionfet jfet 和金屬 氧化物半導體場效電晶體 metal oxidesemiconductorfet，簡稱mos fet 由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制...