1樓：猴29209然捉
場效應電晶體(fieldeffecttransistor縮寫(fet))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別(junctionfet-jfet)和金屬-氧化物半導體場效電晶體(metal-oxidesemiconductorfet，簡稱mos-fet)。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效電晶體(fet)是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。
由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。fet英文為fieldeffecttransistor，簡寫成fet。場效電晶體[2]是常見的電子元件，屬於電壓控制型半導體器件。
具有輸入電阻高（10^8～10^9ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。1.場效電晶體可應用於放大。
由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。
常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。5.
場效電晶體可以用作電子開關。其特點為（1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；（2）場效電晶體的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；（5）場效電晶體的抗輻射能力強；（6）由於不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
2樓：知哥49143騰暈
場效電晶體分為兩大類：結型場效電晶體和絕緣柵型場效電晶體。場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以門極與溝道間的pn結形成的反偏的門極電壓控制id」。
更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。
將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
3樓：東門爾風
絕緣柵型場效電晶體在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
4樓：朱哥講電子
場效電晶體是如何分類的。
場效電晶體基本放大器按公共端不同可分為哪幾種？
5樓：無畏無知者
類似三極體的叫法，三極體有基極，集電極和發射極，因此有共基，共集，共發電路形式；
那麼場效電晶體有柵極，漏極和源極，所以有：共漏，共源，共柵的電路構成形式；
6樓：音響帝國**
場效電晶體放大，與電晶體一樣，有三種接法，共源極—共射極，共柵極—共基極，共漏極—共集電極
場效電晶體有哪幾種引數？
7樓：朱哥講電子
場效電晶體是如何分類的。
模電怎麼樣判斷是哪種場效電晶體，以及是哪種工作狀態
8樓：之何勿思
判斷管子，關鍵是要理清楚符號，場效電晶體有6個不同型別（njfet、pjfet、增強型nmos、增強型pmos、耗盡型nmos、耗盡型pmos），符號，特性都不同，這部分只能靠記（多看看熟了也行）。
工作狀態分析比較麻煩，要計算uds，ugs，udg的值，然後分析，具體數值關係看一下童詩白的《類比電子技術基礎》第四版。
如果場效電晶體不導通，就不會有電流流經電阻rs，那麼 us=0，則此時 ugs=10v >ugs(th)，所以，場效電晶體會導通；導通後就存在 us，並保證 ugs>ugs(th)，不然就不會導通了。
9樓：紫冰雨的季節
場效電晶體按結構可分為結型場效電晶體（縮寫為jfet）和絕緣柵場效電晶體（縮寫為jgfet），從導電方式看，場效電晶體分為n型溝道型與p型溝道型。絕緣柵型場效電晶體有增強型和耗盡型兩種，而jfet只有耗盡型。
一、基本結構
場效電晶體是利用改變電場來控制半導體材料的導電特性，不是像三極體那樣用電流控制pn結的電流。因此，場效電晶體可以工作在極高的頻率和較大的功率。此外，場效電晶體的製作工藝簡單，是積體電路的基本單元。
場效電晶體有結型和絕緣柵型兩種主要型別。每種型別的場效電晶體都有柵極g、源極s和漏極d三個工作電極，同時，每種型別的場效電晶體都有n溝道和p溝道兩種導電結構。
絕緣柵型場效電晶體又叫做mos管。根據在外加電壓vgs=0時是否存在導電溝道，絕緣柵場效電晶體又可分為上增強型和耗盡型。增強型mos管在外加電壓vgs=0時不存在導電溝道，而耗盡型mos的氧化絕緣層中加入了大量的正離子，即使在vgs=0時也存在導電溝道。
n溝道絕緣柵型
g為柵極，s為源極，d為漏極，b襯底
結型場效電晶體的結構與絕緣柵場效電晶體的結構基本相同，主要的區別在於柵極g與通道半導體之間沒有絕緣。
n溝道和p溝道結型
從場效電晶體的基本結構可以看出，無論是絕緣柵型還是結型，場效電晶體都是兩個背靠背的pn結。電流通路不是由pn結形成的，而是依靠漏極d和源極s之間半導體的導電狀態來決定的。
10樓：匿名使用者
額，這個我也忘的差不多了，只記得pmos和nmos了，至於工作狀態，應該是看集電極的電位高低吧，不行了，學過的全還給老師了，我得回家翻翻書去了~~~
場效電晶體有哪幾種型別並畫出其圖形符號？
11樓：匿名使用者
簡單的說，場效電晶體包括結型和絕緣柵型兩類，絕緣柵型又包括耗盡型和增強型兩種。
各種場效電晶體各有什麼不同的特點,起什麼作用？
12樓：
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體的作用有以下：
1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變電阻。
13樓：匿名使用者
告訴你吧，結型號管、耗盡型管很少用。其他的管子用途很廣。電腦主機裡的主機板上，電源上都有，igbt一般用大功率電源或電力系統中。
場效電晶體管腳問題，場效電晶體怎麼判斷腳位。
1 結型場效電晶體的管腳識別 場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r 1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正 反向電阻。當某兩個管腳間的正 反向電阻相等，均為數k 時，則這兩個管腳為漏極d和源極s 可互換 餘下的一個管腳即為柵極g。對於有4個...
功放IC和場效電晶體哪個音質好，功放用場效電晶體好嗎？
當然是分立的好了。功放整合ic一般都是按照某個統一標準設計的，突出的是標準化和產業化，效能通常比較中庸，使用方便，適合批量化生產和使用，但各項效能特別是一些極限效能往往一般般。以cmos組成的分立音訊放大電路，雖然設計製作除錯比較複雜，但適應性卻很好，所有型別的電路都能做，而且精通模電的人可以用它實...
怎麼區分場效電晶體與三極體
1.在看電路圖時，圖上的標記符號圖形都有明示。符號是fet 結型場效電晶體 igfet 絕緣柵場效電晶體 三個極是g,d,s.2.在看元件實物時，表面印刷的符號標註有3dj7j就是結型，3do7就是絕緣柵型.3.用萬能表檢測管子時，只能測量一個大概，並不準。絕緣柵型的還不允許用萬能表測，因為柵極耐壓...