1樓：怡網
中文名稱： 銻化銦
英文名稱： indium antimonide
性質：銻和銦的化合物。具閃鋅礦型結構的晶體。金屬銻和銦在高溫熔合而得。重要的半導體材料之一。經熔鍊提純的單晶，可製成具有特殊效能的紅外探測器件等。
2樓：
銻化銦
銻化銦薄膜的製造方法
礦冶新亮點--金屬銦
3樓：匿名使用者
銻化銦霍爾元件
產品簡介 »
型號：ty101a
靈敏度範圍（mt）：120～370（1v，50mt）採用材料insb（銻化銦）
恆壓：1.5v sot-143
貼片封裝
按照霍爾輸出電壓值不同，101a，現可以提供d，e，f 檔，主要應用在磁場檢測、電流感測器、速度檢測、直流無刷電機、位置控制。
什麼是半導體？
4樓：云云最可愛
半導體（ semiconductor），指常溫下導電效能介於導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。
如二極體就是採用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
分類：半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。
鍺和矽是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第ⅲ和第ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第ⅱ和第ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體的分類，按照其製造技術可以分為：積體電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。
此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照ic、lsi、vlsi（超大lsi）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的訊號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
5樓：橘子閃爍
半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。
我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。
與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。
半導體的分類，按照其製造技術可以分為：積體電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類。
6樓：霓脦那些
半導體（英語：semiconductor）是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質，電導率容易受控制的半導體，可作為資訊處理的元件材料。
從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性非常巨大。很多電子產品，如計算機、移動**、數字錄音機的核心單元都是利用半導體的電導率變化來處理資訊。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
材料的導電性是由導帶中含有的電子數量決定。當電子從價帶獲得能量而跳躍至導電帶時，電子就可以在帶間任意移動而導電。
一般常見的金屬材料其導電帶與價電帶之間的能隙非常小，在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導電帶而導電，而絕緣材料則因為能隙很大（通常大於9電子伏特），電子很難跳躍至導電帶，所以無法導電。
一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發，或是改變其能隙之間距，此材料就能導電。
半導體通過電子傳導或空穴傳導的方式傳輸電流。電子傳導的方式與銅線中電流的流動類似，即在電場作用下高度電離的原子將多餘的電子向著負離子化程度比較低的方向傳遞。
空穴導電則是指在正離子化的材料中，原子核外由於電子缺失形成的“空穴”，在電場作用下，空穴被少數的電子補入而造成空穴移動所形成的電流（一般稱為正電流）。
材料中載流子（carrier）的數量對半導體的導電特性極為重要。這可以通過在半導體中有選擇的加入其他“雜質”（iiia、va族元素）來控制。
如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成n型半導體。
如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個空穴（hole），這樣就形成p型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。
擴充套件資料：
特點半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。
在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
發展歷史
半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。
2023年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久，2023年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
2023年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。
半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的餘績──四個伴生效應的發現)雖在2023年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到2023年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到2023年12月才由貝爾實驗室完成。
在2023年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。
同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這麼多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。
如果感興趣可以讀一下robert w.cahn的the coming of materials science中關於半導體的一些說明 。
7樓：叫那個不知道
半導體，指常溫下導電效能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。
半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。
擴充套件資料
1、半導體的分類，按照其製造技術可以分為：積體電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。
此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照ic、lsi、vlsi（超大lsi）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的訊號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
2、半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
3、最早的實用“半導體”是電晶體（transistor）/二極體（diode）。
（1）在無線電收音機（radio）及電視機（television）中，作為“訊號放大器/整流器”用。
（2）發展「太陽能（solar power）」，也用在「光電池（solar cell）」中。
（3）半導體可以用來測量溫度，測溫範圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的準確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.
2%，測溫範圍-100~+300℃，是價效比極高的一種測溫元件。
（4）半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.
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半導體
8樓：假面
導電效能介於導體與絕緣體之間的材料，叫做半導體。
例如：鍺、矽、砷化鎵等，半導體在科學技術，工農業生產和生活中有著廣泛的應用。
半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。
無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。
擴充套件資料：
半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。
在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
最早的實用“半導體”是「電晶體（transistor）/二極體（diode）」。
一、在無線電收音機（radio）及電視機（television）中，作為“訊號放大器/整流器”用。
二、發展「太陽能（solar power）」，也用在「光電池（solar cell）」中。
三、半導體可以用來測量溫度，測溫範圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的準確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.
2%，測溫範圍-100~+300℃，是價效比極高的一種測溫元件。
四、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.
半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的週期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。
例如四價元素鍺或矽晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或矽）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。
摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱p型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故n型半導體中可存在少量導電空穴，p型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
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