1樓：匿名使用者
半導體是指導電能力介於金屬和絕緣體之間的固體材料。按內部電子結構區分，半導體與絕緣體相似，它們所含的價電子數恰好能填滿價帶，並由禁帶和上面的導帶隔開。半導體與絕緣體的區別是禁帶較窄，在2～3電子伏以下。
典型的半導體是以共價鍵結合為主的，比如晶體矽和鍺。半導體靠導帶中的電子或價帶中的空穴導電。它的導電性一般通過摻入雜質原子取代原來的脊枝原子來控制。
摻入的原子如果比原來的原子多乙個價電子，則產生電子導電；如果摻入的雜質原子比原來的原子少乙個價電子，則產生空穴導電。
半導體的應用十分廣泛，主要是製成有特殊功能的元器件，如電晶體、積體電路櫻櫻敏、整流器、頌兆雷射器以及各種光電探測器件、微波器件等。
2樓：匿名使用者
現在只要是通電塵帆備得裝置裡面應該轎雀都有半導體。
半導體可以做成pn節。乙個pn節叫派毀二極體，兩個pn節叫三極體，四個pn節叫閘流體。由他們可以構成積體電路、整流器等。
3樓：匿名使用者
半導體的應用十睜拆分廣泛，主要是製成有特殊功能的元器早早雹件，如電晶體、積體電路、整流器、雷射器以及各種光電探測器件、微波器件陸帆等。
半導體有什麼特性
4樓：太平洋電腦網
半導體具有特性襲仔有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。
半導體材料除了用於製造大規模積體電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成mems（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。
半導體是指導檔鏈電效能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電效能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。
什麼是半導體 通俗點
5樓：山和煦答南
簡單的說半導體是電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度係數的物質。指常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。
半導體的材料的電阻率界於金屬與絕緣材料之間的材料。這種材料在某個溫度範圍內隨溫度公升高而增加電荷載流子的濃度，電阻率下降。
半導體高中學過的，呵呵，希望對你有幫助！
6樓：經濟資料愛好
鍺、矽、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，叫做半導體。
半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關係可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。
半導體還有乙個最重要的性質，如果在純淨的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。
把一塊半導體的一邊製成p型區，另一邊製成n型區，則在交界處附近形成乙個具有特殊效能的薄層，一般稱此薄層為pn結。圖中上部分為p型半導體和n型半導體介面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。
下邊部分為pn結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。
半導體主要具有哪些特性？
7樓：來這看看
1.熱敏特性。
半導體的差孫電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。例如純鍺，溼度每公升高10度，它的電阻率就要減小到原來的1／2。溫度的細微乎緩變化，能從半導體電阻率的明顯變化上反映出來。
利用半導體的熱敏特性，可以製作感溫元件——熱敏電阻，用於溫度測量和控制系統中。
值得注意的是，各種半導體器件都因存在著熱敏特性，在環境溫度變化時影響其工作的穩定性。
2.光敏特性。
半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。例如，常用的硫化鎘光敏電阻，在沒有光照時，電阻高達幾十兆歐姆，受到光照時。
電阻一下子降到幾十千歐姆，電阻值改變了上千倍。利用半導體的光敏特性，製作出多種型別的光電器件，如光電二極體、光電三極體及矽光電池等。廣泛應用在自動控制和無線電技術中。
3.摻雜特性。
在純淨的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。例如。在純矽中摻人。
百萬分之—的硼元素，其電阻率就會從214000ω·cm一下於減小到，也就是矽的導電能為提高了50多萬倍。人們正是通過摻入某些特定的雜質元素，人為地精確地控制半導體的導電能力，製造成不同型別的半導體器件。可以毫不誇張地說，幾乎所有的半導體器件，都是用摻有特定雜質的半導體材料製成的。
半導體的特點
8樓：稻子
半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。
在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
半導體的四個特性是什麼？
9樓：浮思特
半導體具有四個主要特性，即：
電阻特性： 半導體的電阻隨溫度的變化而變化。通常情況下，半導體的電阻隨著溫度的公升高而增加，這與金屬不同，金屬的電阻一般隨溫度公升高而減小。
導電性： 半導體的電導率介於導體和絕緣體之間。它的電導率可以通過控制摻雜或施加電場來改變，因此半導體可以用作電子器件中的電導體。
能帶結構： 半導體的能帶結構決定了它的電子行為。半導體中有價帶（valence band）和導帶（conduction band），兩者之間的能隙決定了電子從價帶躍遷到導帶所需的能量。
載流子特性： 在半導體中，載流子是電荷的載體。半導體中有兩種載流子：電子（帶負電荷）和空穴（帶正電荷）。控制和理解載流子的行為對於半導體器件的設計和功能至關重要。
這些特性決定了半導體在電子器件中的應用和工作原理，例如電晶體、二極體和積體電路等。
10樓：鵬飛萬里無邊
半導體的四個特性：電阻率的負溫度特性、光照導電效應、光伏現象、整流效應。
1833年，法拉第發現了硫化銀的電阻隨著溫度的變化而顯現出的特性與一般金屬不同。通常情況下，金屬的電阻隨溫度公升高而增加，法拉第發現硫化銀的電阻隨著溫度的上公升而降低。這是人類首次發現的半導體現象。
1839年，法國科學家亞歷山卓·貝克雷爾（alexandre edmond becquerel）發現了光伏現象。那是乙個半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生電壓，這是半導體的第二個特徵。
1873年，英國科學家史密斯（發現了硒晶體材料在光照下電阻減弱的現象，這是半導體第三個特性。
1880年，半導體的霍爾效應被發現。
1874年，德國的布勞恩（ferdinand braun）發現了硫化物半導體的整流效應。同年，氧化銅的整流效應也被發現。
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